内存时序高好还是低好(内存时序是什么意思?内存时序高好还是低好?)

内存时序越低越好,因为低时序内存模块的速度越快,性能越高,而高时序内存模块的速度越慢,性能越低。

内存时序是什么意思?内存时序高好还是低好?

延迟越低,速度越快。

一般内存是频率越高,延迟越大。威刚红色威龙DDR2 800+ CL4-4-4-12,标是这样标的,但一般在800M频率都是在5-5-5-15,在667M时有可能4-4-4-12。芝奇DDR2 800 CL5-5-5-15应该这个好。我用的金邦黑龙条DDR2 800,是为数不多的800M频率时序为4-4-4-12的内存。内存好不好,关键看颗粒,目前用镁光颗粒的内存最好。

内存时序越高越好吗

内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上,设置方式如下:

1、F12进入BIOS,在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

2、BIOS设置中可能出现的其他描述有,Automatic Configuration,Auto,Timing Selectable,Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable)。

3、内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。

4、预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的

内存时序什么样最好

时序都是19。电脑内存的运行频率和时序之间没有直接的关系。

同样运行频率的内存,可以有不同的时序。内存时序最重要的主要就是四个参数CL、tRCD、tRP、tRAS。这四个参数和内存频率直接没有直接的对应关系。当然,时序的每个参数都是越小越好,也正因为如此,同样频率的内存,是可以通过优化时序产生性能差距的。

内存时序是什么意思 贴吧

转给你看看

内存参数规格:

内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式,分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数,也就是tRAS和CMD(Command缩写),是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误,因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。

CMD Rate祥解:

Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令,单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)。如果系统指使用一条单面内存,那就不存在片选的问题了,因为此时只有一个物理Bank。

用更通俗的说法,CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟,它并不全由内存决定,是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计,高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大,其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大,即使是双面单条。

Intel对CMD这个问题就非常敏感,因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T,而不理用户最多能安装多少容量的内存。

宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告,因为所有的无缓冲(unbuffered)内存都应具有1T的CMD Rate,最多支持四个Bank每条内存通道,当然也不排除芯片组的局限性。

tRAS:

tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay,行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要,其实不然。内存访问是一个动态的过程,有时内存非常繁忙,但也有相对空闲的时候,虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序),但发生的不多。

接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟,tRCD,以及tRP,这些参数又是如何影响系统性能的呢?

CAS:

内存时序高好还是低好(内存时序是什么意思?内存时序高好还是低好?)

CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间,通常为2,2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中,因为CAS按列地址管理物理地址,因此在稳定的基础上,这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的,在内存阵列中分为行和列,当命令请求到达内存后,首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay),数据被请求后需预先充电,一旦tRAS被激活后,RAS才开始在一半的物理地址中寻址,行被选定后,tRCD初始化,最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤,所以在内存参数中它是最重要的。

tRCD:

根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。然而,这个参数对系统性能的影响并不大,因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址,这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。

tRP:

tRP指RAS Precharge Time ,行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言,在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后,需要结束当前的状态然后重新开始新的循环,再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化,例如视频渲染,此时一个程序就需要使用很多的行来存储,tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快

总结:

或许你看完以上论述后还是有一些不解,其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻,这个并不影响你选择什么规格的内存,以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的,你应该知道,系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存,然后CAS延迟越低越好。

因为不同频率的内存的价格相差并不是很大,除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑,我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用,高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存,标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz,通常情况下CAS延迟可以达到2。

一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时,都会要求较高的总线速度,此时的瓶颈就在内存系统上,一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽,在处理大量数据时就能明显的从中获益,例如数据库操作,Photoshop等。

另外一点值得注意的是,PC3200或PC3500规格的内存,如果CAS延迟可以设为2,也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽,低CAS延迟也会带来显著的性能提升,例如一些小型游戏和3D应用程序。

内存时序差别大吗

内存时序的调节步骤如下:

在BIOS中打开手动设置。

在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

BIOS设置中可能出现的其他描述有,Automatic Configuration,Auto,Timing Selectable,Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable)。

内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。

预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

内存时序,一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。

内存条时序高好还是低

主板上的2.5V是标准的!!!2.6是为那些超频的准备的。当然你就选择2.5V就OK了低利于稳定 高利于超频 电压低温度低 电压高温度高 就像人的血压一样,你说那个好,当然原本的最好。高了低了都不好

内存时序是越低越好吗

内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字。

内存时序参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味着更快的性能,所以在内存频率相同的情况下,内存时序越小越好。所以内存低时序意味着该内存的存储器的存储速度快。

内存时序是什么意思?内存时序高好还是低好

C19-22-22-42时序好。

时序相同但是频率不同,和频率相同但是时序不同。测试中游戏画面设置均为三极致,分辨率为1080p。测试方式是播放同一段录像,从跳伞到落地,到最后进前十这样。第一部分测试时序相同,都是C19-22-22-42的情况下,在4000,3600,3200,2666,1600Mhz下的帧数表现。主硬盘显示为SA530均为软件识别有些问题。

内存时序高好还是低好(内存时序是什么意思?内存时序高好还是低好?)

发表评论

您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注